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    1、行業(yè)的技術(shù)水平
　　
    (1)工藝節(jié)點及封裝水平
　　
    工藝節(jié)點與芯片成本密切相關(guān)。在NOR Flash 領(lǐng)域,目前55nm~58nm 工藝節(jié)點的產(chǎn)品已開始大規(guī)模商用,45nm 產(chǎn)品也已開始研發(fā)。在NAND Flash 領(lǐng)域,目前20/19nm 以上工藝節(jié)點是主流的商用制程,未來主流產(chǎn)品將向1Y nm 發(fā)展。
　　
    工藝節(jié)點由20/19nm 轉(zhuǎn)向1Y nm,能使單顆芯片的面積減少約三分之一,從而導(dǎo)致芯片價格大幅降低。在芯片封裝工藝上,3D 封裝和系統(tǒng)級封裝(SiP)在特定領(lǐng)域已開始迅速發(fā)展。
　　
    (2)性能水平
　　
    閃存芯片性能可在一定程度上反映設(shè)計水平。數(shù)據(jù)傳輸速度方面,當(dāng)前串行NOR Flash 芯片的數(shù)據(jù)傳輸速率約為560M bps、并行NOR Flash 芯片的數(shù)據(jù)傳輸速率約為800M bps,NAND Flash 產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速率約為1.6G bps。可靠性及壽命方面,當(dāng)前NOR Flash 產(chǎn)品的可擦寫次數(shù)約為10 萬次,數(shù)據(jù)存儲時間約為10 年;MLC 型NAND Flash 產(chǎn)品的可擦寫次數(shù)約為5000 次,SLC 型約為50,000次,數(shù)據(jù)存儲時間約為10 年。功耗方面,15μA 為當(dāng)前NOR Flash 產(chǎn)品的普遍水平,15-20μA 為當(dāng)前NAND Flash 產(chǎn)品的普遍水平。
　　
    相關(guān)市場調(diào)研報告請見中企顧問網(wǎng)發(fā)布的《2014-2020年中國LED芯片市場監(jiān)測與投資前景評估報告》

    2、行業(yè)的技術(shù)特點
　　
    該行業(yè)技術(shù)特點決定了產(chǎn)品應(yīng)用范圍,具體如下:
　　
    (1)NOR Flash 芯片技術(shù)特點為可隨機存儲,確保了較快的隨機讀取速度;可執(zhí)行代碼,確保可直接和處理器連接。因此,NOR Flash 芯片廣泛應(yīng)用于需要頻繁執(zhí)行各類程序的嵌入式領(lǐng)域,如代碼存儲。未來NOR Flash 芯片主要在降低成本和功耗、提升擦寫編程速度、提升可靠性等方面進(jìn)行技術(shù)升級。
　　
    (2)NAND Flash 芯片技術(shù)特點為非隨機存儲、不可執(zhí)行代碼,但以塊為單位進(jìn)行存儲操作,具備較高的存儲速度,適合大容量的數(shù)據(jù)存儲。因此,NANDFlash 芯片主要應(yīng)用于批量數(shù)據(jù)存儲的領(lǐng)域,如大容量數(shù)據(jù)存儲。由于NANDFlash 工藝節(jié)點越小,越容易出現(xiàn)壞塊,需要軟件和固件來管理壞塊,技術(shù)復(fù)雜度較高。未來NAND Flash 芯片主要在降低成本、提高存儲容量、提高存取速度、提升可靠性等方面進(jìn)行技術(shù)升級。